量子点发光二极管的一些知识点
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【概要描述】量子点发光二极管是在三个空间方向结合激子的半导体纳米结构。量子点发光二极管是一种重要的低维半导体材料，其三维尺寸不超过相应半导体材料激子玻尔半径(1-10nm)的两倍。量子点发光二极管一般为球形或准球形，直径通常在2-2-20纳米之间。
量子点的一些知识点
量子点的一些知识点
量子点发光二极管的一些知识点
【概要描述】量子点发光二极管是在三个空间方向结合激子的半导体纳米结构。量子点发光二极管是一种重要的低维半导体材料，其三维尺寸不超过相应半导体材料激子玻尔半径(1-10nm)的两倍。量子点发光二极管一般为球形或准球形，直径通常在2-2-20纳米之间。
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量子点是在三个空间方向结合激子的半导体纳米结构。量子点是一种重要的低维半导体材料，其三维尺寸不超过相应半导体材料激子玻尔半径(1-10nm)的两倍。量子点一般为球形或准球形，直径通常在2-2-20纳米之间。
量子点是一种纳米半导体。通过对这种纳米半导体材料施加一定的电场或光压，它们会发射出特定频率的光，发射光的频率会随着这种半导体尺寸的变化而变化。因此，发射光的颜色可以通过调节这种纳米半导体的尺寸来控制。由于这种纳米半导体具有限制电子和电子空穴的特性，这种特性类似于自然界中的原子或分子，所以被称为量子点。
量子点作为半导体纳米晶体，当粒子尺寸小于激子玻尔半径时，由于电子的平均自由程被限制在很小的范围内，很容易与空穴形成激子对。与电子空穴的波函数重叠，产生激子吸收带。量子点发光二极管的尺寸越小，激子形成的概率越大，激子浓度越高。这种效应称为量子限制效应。量子点发光二极管的量子限制效应使其光学性能不同于传统的半导体材料。量子点发光二极管的能带结构在导带底部附近形成一些激子能级，产生激子吸收带，激子的复合会产生荧光辐射。不同尺寸的量子点发光二极管对电子和空穴的量子限制程度不同，其离散能级结构也不同。
随着粒子尺寸的减小，电子和空穴的约束程度变大，导致动能即量子约束能变大，量子点发光二极管的有效带隙变宽，相应的吸收光谱和发射光谱蓝移，尺寸越小，蓝移程度越大。因此，通过调节量子点发光二极管的尺寸，可以调节量子点发光二极管的发光光谱。
目前使用的量子点发光二极管材料主要有硒化镉系列和磷化铟系列。两种量子点发光二极管各有优缺点。硒化镉具有较高的发光效率和较宽的色域表现。磷化铟不受欧盟标准的限制，因为它不含镉。QLED的制造方法大致可以分为三类：化学溶液生长法、外延生长法和电场限制法。这三种制造方法也对应三种不同的量子点发光二极管。
量子点发光二极管具有制造成本低、产量高、发光效率高(特别是在可见光和紫外光波段)的优点。但缺点是电导率低。由于生产过程中在量子点表面产生有机配体，抵消了量子点之间的范德华引力，保持其在溶液中的稳定性。然而，这种有机配体阻碍了量子点之间的电荷转移。这大大减少了纳米晶在太阳能电池和其他组件中的应用。
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